|
|
|
| Industrijska elektronika |
Autor: Danko Milošević dipl.ing. |
|
MODERNI NAČINI MERENJA FIZIČKIH VELIČINA Klasične senzore sa Burdonovom cevi ili sa membranom svi dobro znamo. Ta mehanika odlično radi, ali ima jednu skrivenu manu, i ne ugrađuje se više tamo gde je to važno. Hodovi pretvaračkih elemenata kod njih iznose od 1 do 3 milimetara za razliku od deformacija kod modernih senzorskih merača pritiska koji ne prelaze nekoliko mikrona. Ovi minimalni pomeraji omogućuju veliku brzinu odziva (standardno oko 2 msec.), visoku linearnost, otpornost na preopterećenja i dugotrajnost bezotkaznog rada. Principi merenja pritiska
koji se danas primenjuju, uglavnom favorizuju direktno pretvaranje fizičke
u električnu veličinu a ovo, u većini slučajeva, zahteva izvor pomoćne
energije za senzor. Pri tom i dalje valja misliti o tome kako da se ponište
greške merenja usled uticaja temperature, gustine, parazitnih električnih
veličina i ko zna čega još.
Senzore pritiska (i sve ostale) klasifikujmo na dva osnovna načina: 1. PO SREDINI UPOTREBE 1A. Senzori za industrijska
merenja Polako se približavamo konkretnim senzorima naglašavajući njihov osnovni princip merenja i koja sredina (ili bolje reći, kraj) im najviše prija. 1A. Senzori za industrijska
merenja 1B. Senzori za
laboratorijska merenja 1. Vibrirajući cilindar-
pretvarač vibracija PODELA SENZORA PRITISKA Nadalje prelazimo na sasvim određen tip senzora, svaki u po jednom nastavku. Piezootporni senzor pritiska Ova vrsta senzora široko je primenjena kod industrijskih merača zbog svoje robusnosti, visoke klase tačnosti, brze dinamike i odlične stabilnosti. Srce sistema je Silicijumska pločica-čip dimenzija, 4*4*1mm, kroz čiju su, specijalno pripremljenu, gornju površinu difundirana četiri električna otpora kiloomskih vrednosti, formiranih u Vitstonov merni most, dobro poznat kod merenja u elektrotehnici. Dejstvom pritiska na silicijumsku pločicu dolazi do tzv. Piezootpornog efekta, tj. do značajne promene specifične električne otpornosti materijala pločice, a time i do promene vrednosti otpora difundiranih u pločicu. Kod svih kristalnih materijala dolazi do ove promene zbog promenljive pokretljivosti elektrona u kristalnoj rešetci pod dejstvom sile. Kod poluprovodničkih materijala, kao što je Silicijum, ova promena je oko 100 puta većeg intenziteta u odnosu na metale. Ovo omogućava da same dimenzije senzora budu male, a takođe je moguće meriti i veoma male opsege pritiska (reda desetak milibara).
Na slici 2. prikazali smo kompletan senzor pritiska, sa detaljnim opisom podsklopova ovog senzora. Proučimo prvo osnovni podsklop: sistemsku podlošku (vejfer). Ova se dobija tako što se Si monokristal iseče na kriške, pazeći strogo pri tome na strukturu i orijentaciju kristala, a zatim polira. Sledeće što joj uradimo je implantacija i onečišćenje u cilju formiranja otpornog elektronskog Vitstonovog mosta. Ključna fraza je formiranje membranskog Si epitaksijalnog sloja, koji se dobija nagrizanjem ili bušenjem polirane površine sistemske podloške. Električni Otpori se difundiraju u ivičnu zonu membranskog sloja, jer su tu najveća fizička opterećenja i izlazni električni signal.
R1/R3=R2/R4 . . . . . (1) Most izlazi iz ravnoteže
pod dejstvom sile pritiska, koja deformiše kristalnu rešetku
materijala od kojeg su otpori. R1 i R4 povećavaju svoju numeričku
vrednost, a R2 i R3 je smanjuju. Kao rezultat toga povećava se vrednost
izlaznog signala, (Us) na dijagonali mosta. Praktična numerička
vrednost ovog signala je od nekoliko desetina do nekoliko stotina mV. Us= Ub* (R1*R4-R2*R3)/ (R1+R3) (R2+R4) + U0. . . (2) Us- Izlazni signal U praksi se pokazuje da su uticaji promene temperature i drugih parametara značajni, tako da izlazni signal za ravnotežni most nije nula i polako se menja sa promenom temperature. Da bi smo te probleme kompenzovali, obično koristimo otvorenu varijantu mosta i redno paralelnu vezu otpornika za temperaturnu kompenzaciju.
|
|
C o p y r i g h t 1998 mikroElektronika. All Right Reserved. Za sva pitanja obratite se redakciji |